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APT60GT60JRD

更新时间： 2024-09-14 22:07:31
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 79K
描述
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.

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APT60GT60JRD 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：93 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：378 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：495 ns标称接通时间 (ton)：84 ns
Base Number Matches：1

APT60GT60JRD 数据手册

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APT60GT60JRD  
600V 90A  
E
Thunderbolt IGBT™ & FRED  
E
The Thunderbolt IGBT™ is a new generation of high voltage power IGBTs.  
Using Non-Punch Through Technology the Thunderbolt IGBT™ combined  
with an APT free-wheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers  
superior ruggedness and ultrafast switching speed.  
C
G
SOT-227  
ISOTOP®  
• Low Forward Voltage Drop  
• Low Tail Current  
• High Freq. Switching to 150KHz  
• Ultra Low Leakage Current  
• RBSOA and SCSOA Rated  
C
• Ultrafast Soft Recovery  
Antiparallel Diode  
G
E
MAXIMUM RATINGS (IGBT)  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT60GF60JRD  
UNIT  
600  
600  
±20  
Collector-Emitter Voltage  
VCES  
VCGR  
VGE  
IC1  
Collector-Gate Voltage (RGE = 20KΩ)  
Gate-Emitter Voltage  
Volts  
Y
90  
60  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
IC2  
Amps  
1
180  
Pulsed Collector Current  
Pulsed Collector Current  
Total Power Dissipation  
@ TC = 25°C  
@ TC = 110°C  
ICM1  
ICM2  
PD  
1
120  
375  
Watts  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
°C  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (IGBT)  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
600  
3
TYP  
MAX  
UNIT  
BVCES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V = 0V, I = 0.5mA)  
GE C  
PRELIMINAR  
4
5
VGE(TH)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 700µA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = IC2, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = IC2, Tj = 150°C)  
Collector Cut-off Current (VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
Collector Cut-off Current (VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V, VCE = 0V)  
Volts  
1.6  
2.0  
2.5  
2.8  
0.3  
3.0  
±100  
VCE(ON)  
ICES  
IGES  
mA  
nA  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT60GT60JRDQ3 ADPOW

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