APT6035BVR

更新时间： 2024-11-24 22:50:11

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
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描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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APT6035BVR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH VOLTAGE	雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT6035BVR 数据手册

APT6035BVR

600V 18A 0.350Ω

POWER MOS V^®

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

TO-247

• Faster Switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche Tested

• Popular TO-247 Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT6035BVR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

Watts

280

P_D

2.24

-55 to 150

300

W/°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1210

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

0.350

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

µA

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT6035BVRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6035CN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT6035SVFR	ADPOW	获取价格	POWER MOS V FREDFET
APT6035SVFRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6035SVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6035SVR	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6035SVRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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APT6038BFLL	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
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