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APT50GT120LR

更新时间： 2024-11-26 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管双极性晶体管局域网
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Thunderbolt IGBT

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APT50GT120LR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	94 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	303 ns	标称接通时间 (ton)：	77 ns
Base Number Matches：	1

APT50GT120LR 数据手册

APT50GT120B2R(G)

APT50GT120LR(G)

1200V, 50A, V

= 3.2V Typical

CE(ON)

Thunderbolt IGBT^®

The Thunderbolt IGBT^®is a new generation of high voltage power IGBTs. Using

Non-Punch-Through Technology, the Thunderbolt IGBT^®offers superior rugged-

ness and ultrafast switching speed.

Features

• Low Forward Voltage Drop

• Low Tail Current

• RBSOA and SCSOA Rated

• High Frequency Switching to 50KHz

• Ultra Low Leakage Current

• RoHS Compliant

Unless stated otherwise, Microsemi discrete IGBTs contain a single IGBT die. This device is made with two parallel

IGBT die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.

Maximum Ratings

All Ratings: T_C= 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Ratings

Unit

Symbol

V_CES

V_GE

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

I_C1

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

Pulsed Collector Current ¹

I_C2

Amps

150

I_CM

SSOA

150A @ 1200V

625

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

Total Power Dissipation

Watts

°C

P_D

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063” from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

Static Electrical Characteristics

Characteristic / Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Symbol

V_(BR)CES

V_GE(TH)

1200

5.5

3.2

4.0

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 3mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 2mA, T_j= 25°C)

Collector Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 50A, T_j= 25°C)

Collector Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 50A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C) ²

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C) ²

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

4.5

6.5

3.7

Volts

2.7

V_CE(ON)

200

2.0

300

μA

I_CES

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT50GT120LRDQ2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
APT50GT120LRDQ2G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 106A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
APT50GT120LRG	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT50GT60BR	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT50GT60BR	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT50GT60BRDL	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GT60BRDLG	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GT60BRDQ1	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
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