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APT50GT120B2RG PDF预览

APT50GT120B2RG

更新时间： 2024-11-26 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
Thunderbolt IGBT

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APT50GT120B2RG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：1.41
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：94 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：303 ns标称接通时间 (ton)：77 ns
Base Number Matches：1

APT50GT120B2RG 数据手册

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APT50GT120B2R(G)  
APT50GT120LR(G)  
1200V, 50A, V  
= 3.2V Typical  
CE(ON)  
Thunderbolt IGBT®  
The Thunderbolt IGBT® is a new generation of high voltage power IGBTs. Using  
Non-Punch-Through Technology, the Thunderbolt IGBT® offers superior rugged-  
ness and ultrafast switching speed.  
Features  
• Low Forward Voltage Drop  
• Low Tail Current  
• RBSOA and SCSOA Rated  
• High Frequency Switching to 50KHz  
• Ultra Low Leakage Current  
• RoHS Compliant  
Unless stated otherwise, Microsemi discrete IGBTs contain a single IGBT die. This device is made with two parallel  
IGBT die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.  
Maximum Ratings  
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.  
Parameter  
Ratings  
Unit  
Symbol  
VCES  
VGE  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
1200  
Volts  
±30  
94  
50  
IC1  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 100°C  
Pulsed Collector Current 1  
IC2  
Amps  
150  
ICM  
SSOA  
150A @ 1200V  
625  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
PD  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063” from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
Static Electrical Characteristics  
Characteristic / Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Symbol  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
1200  
-
5.5  
3.2  
4.0  
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 3mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 2mA, Tj = 25°C)  
Collector Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)  
Collector Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)  
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C) 2  
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C) 2  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
4.5  
6.5  
3.7  
-
Volts  
2.7  
VCE(ON)  
-
-
-
-
200  
2.0  
300  
μA  
mA  
nA  
ICES  
IGES  
-
-
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT50GT120JRDQ2 ADPOW

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APT50GT120JU3 ADPOW

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 		ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT50GT120JU3-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 50Silicon type
APT50GT120LR MICROSEMI

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 		Thunderbolt IGBT
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APT50GT120LRDQ2G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 106A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
APT50GT120LRG MICROSEMI

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