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APT50GP60BG

更新时间： 2024-11-19 12:58:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 194K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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APT50GP60BG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.02
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：202 ns
标称接通时间 (ton)：55 nsBase Number Matches：1

APT50GP60BG 数据手册

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APT50GP60LDL(G)  
600V, 50A, V  
= 2.2V Typical  
CE(ON)  
Resonant Mode Combi IGBT®  
The POWER MOS 7® IGBT used in this resonant mode combi is a new generation of high  
voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high  
frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency  
switchmode power supplies.  
Features  
Typical Applications  
G
C
•
•
•
•
•
Low Conduction Loss  
•
•
•
•
•
Induction Heating  
Welding  
•
•
SSOA Rated  
E
Low Gate Charge  
RoHS Compliant  
C
E
Ultrafast Tail Current shutoff  
Low forward Diode Voltage (VF)  
Ultrasoft Recovery Diode  
Medical  
G
High Power Telecom  
Resonant Mode Phase Shifted  
Bridge  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
UNIT  
Ratings  
VCES  
VGE  
IC1  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
600  
Volts  
30  
7
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
150  
IC2  
Amps  
72  
1
Pulsed Collector Current  
ICM  
190  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
Total Power Dissipation  
190A @ 600V  
625  
SSOA  
PD  
Watts  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55 to 150  
300  
TL  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
Units  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1.0mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)  
600  
3
4.5  
2.2  
2.1  
6
Volts  
2.7  
VCE(ON)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
525  
ICES  
IGES  
µA  
nA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
2750  
100  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = 20V)  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT50GP60J ADPOW

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 		POWER MOS 7 IGBT
APT50GP60JD2 MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
APT50GP90B MICROSEMI

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 		100A, 900V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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