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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 202 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 55 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT50GP60B2D2 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| APT50GP60B2DF2 | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT50GP60B2DQ2 | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT50GP60B2DQ2G | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT50GP60BG | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| APT50GP60J | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT50GP60JD2 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
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| APT50GP60JDF2 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
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| APT50GP60JDQ2 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT50GP60JDQ2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
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