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APT50GN120L2DQ2G

更新时间： 2024-11-30 12:47:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体半导体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
44页	2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

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APT50GN120L2DQ2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264MA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.5	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	134 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	543 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	600 ns
标称接通时间 (ton)：	55 ns	Base Number Matches：	1

Power Matters.

POWER PORTFOLIO 2012-2013

Power Semiconductors

Power Modules

RF Power MOSFETs

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT50GN60B	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60B	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN60BDQ2	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BDQ2	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN60BDQ2G	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN60BDQ2G	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BDQ3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3
APT50GN60BDQ3(G)	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPL
APT50GN60BG	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BG	ADPOW	获取价格	IGBT