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APT50GN120B2G

更新时间： 2024-11-30 12:47:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体半导体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
44页	2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

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APT50GN120B2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.51
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	134 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	543 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	600 ns	标称接通时间 (ton)：	55 ns
Base Number Matches：	1

Power Matters.

POWER PORTFOLIO 2012-2013

Power Semiconductors

Power Modules

RF Power MOSFETs

12 3 4 5 6 7...44

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT50GN120L2DQ2	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN120L2DQ2G	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN120L2DQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT50GN60B	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60B	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN60BDQ2	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BDQ2	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN60BDQ2G	ADPOW	获取价格	IGBT
APT50GN60BDQ2G	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BDQ3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3