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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 55 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-258AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 450 ns | 标称接通时间 (ton)： | 120 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT50GF60JCU2 | MICROSEMI |
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ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper di |
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| APT50GF60JU2 | MICROSEMI |
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Boost chopper NPT IGBT |
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| APT50GF60JU3 | MICROSEMI |
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ISOTOP® Buck chopper NPT IGBT |
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| APT50GF60JU3 | ADPOW |
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ISOTOP Buck chopper NPT IGBT |
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| APT50GF60LRD | ADPOW |
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The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
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| APT50GL60BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
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| APT50GLQ65JU2-Module | MICROCHIP |
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IGBT 3 fastLow voltage dropLow leakage currentLow switching lossesKelvin emitter for easy |
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| APT50GN120B2 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT50GN120B2G | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules |
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| APT50GN120B2G | ADPOW |
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IGBT |
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