5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 135 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 60 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 395 ns | 标称接通时间 (ton)： | 68 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT50GF120B2RG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT50GF120JRD | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
|
| APT50GF120JRDQ3 | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
|
| APT50GF120LR | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
|
| APT50GF120LRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT50GF60B2RD | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
|
| APT50GF60BR | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
|
| APT50GF60HR | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
|
| APT50GF60JCU2 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper di |
|
| APT50GF60JU2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
