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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.42 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | ULTRA SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.6 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 320 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 50 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT50DL60BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60HJ | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module |
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| APT50DL60S | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50G50BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
|
| APT50G60BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
|
| APT50GF100BN | MICROSEMI |
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50A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| APT50GF120B2R | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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| APT50GF120B2RG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT50GF120JRD | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
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