是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | TO-247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.42 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT | 应用: | ULTRA SOFT RECOVERY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.6 V | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流: | 320 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 50 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 600 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT50DL60BCTG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode | |
APT50DL60BG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode | |
APT50DL60HJ | MICROSEMI |
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ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module | |
APT50DL60S | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode | |
APT50DL60SG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode | |
APT50G50BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD | |
APT50G60BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD | |
APT50GF100BN | MICROSEMI |
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50A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | |
APT50GF120B2R | ADPOW |
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The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. | |
APT50GF120B2RG | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules |