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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT4585GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-257ISO |
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| APT45G100BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247AD |
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| APT45GF60BN | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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| APT45GF60BNU1 | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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| APT45GL100BN | ADPOW |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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| APT45GL100BN | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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| APT45GP120B | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT45GP120B2D2 | MICROSEMI |
获取价格 |
54A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3 |
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| APT45GP120B2DF2 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3 |
|
| APT45GP120B2DF2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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