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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 94 pF | JESD-30 代码： | R-PSFM-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 48 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT4585CN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-254ISO |
|
| APT4585DN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT4585GN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-257ISO |
|
| APT45G100BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247AD |
|
| APT45GF60BN | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| APT45GF60BNU1 | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| APT45GL100BN | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
|
| APT45GL100BN | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| APT45GP120B | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT45GP120B2D2 | MICROSEMI |
获取价格 |
54A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3 |
|
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