生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (ID): | 9.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.85 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 94 pF | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 180 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 38 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 70 ns | 最大开启时间(吨): | 48 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT4585BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
APT4585CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-254ISO | |
APT4585DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
APT4585GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-257ISO | |
APT45G100BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247AD | |
APT45GF60BN | MICROSEMI |
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45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | |
APT45GF60BNU1 | MICROSEMI |
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45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | |
APT45GL100BN | ADPOW |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | |
APT45GL100BN | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | |
APT45GP120B | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |