APT38N60BC6

更新时间： 2024-01-28 03:35:57

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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C Super Junction MOSFET

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APT38N60BC6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.89
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	796 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	38 A	最大漏源导通电阻：	0.099 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	112 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT38N60BC6 数据手册

APT38N60BC6

APT38N60SC6

600V 38A 0.099Ω

COOLMOS

Power Semiconductors

Super Junction MOSFET

• Ultra Low R_DS(ON)

D³PAK

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q

• Avalanche Energy Rated

• Extreme

Rated

• Popular TO-247 or Surface Mount D³package.

MAXIMUM RATINGS

All Ratings per die: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Parameter

APT38N60B_SC6

UNIT

Drain-Source Voltage

600

Volts

V_DSS

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

I_D

Amps

112

I_DM

V_GS

Pulsed Drain Current

Gate-Source Voltage Continuous

Volts

278

Watts

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 480V, I_D= 38A, T_J= 125°C)

-55 to 150

260

T_J,T_STG

°C

T_L

V/ns

6.6

Amps

I_AR

E_AR

E_AS

Avalanche Current

1.2

Repetitive Avalanche Energy

( Id = 6.6A, Vdd = 50V )

796

Single Pulse Avalanche Energy

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

BV_(DSS)

R_DS(on)

Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

Volts

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250μA)

0.099

Ohms

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 18A)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V, T_C= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.2mA)

μA

I_DSS

100

±100

3.5

I_GSS

2.5

Volts

V_GS(th)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

"COOLMOS™ comprise a new family of transistors developed by Inﬁneon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Inﬁneon Technologies AG."

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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APT38N60BC6 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW38N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET，
STW34N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，T
STW35N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650 V, 0.085 Î©, 27 A, MDmeshâ¢ V

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT38N60SC6	MICROSEMI	获取价格	C Super Junction MOSFET
APT39F60J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT39M60J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT39M60J_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT4007DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| CHIP
APT4007FN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| SIP-TAB
APT4008EN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT4009EN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT40-101DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| CHIP
APT4012BVFR	ADPOW	获取价格	POWER MOS V FREDFET

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