APT31N80JC3

更新时间： 2024-11-25 04:32:47

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Super Junction MOSFET

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APT31N80JC3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.145 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	93 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT31N80JC3 数据手册

APT31N80JC3

800V 31A 0.145Ω

Super Junction MOSFET

COOLMOS

Power Semiconductors

SOT-227

• Ultra low R_{DS ON}

(

)

"UL Recognized"

• Low Miller Capacitance

ISOTOP^®

• Ultra Low Gate Charge, Q_g

• Avalanche Energy Rated

• N-Channel Enhancement Mode

• Popular SOT-227 Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT31N80JC3

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

800

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±20

±30

833

Watts

W/°C

P_D

6.67

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 640V, I_D= 31A, T_J= 125°C)

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Amps

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

0.5

Single Pulse Avalanche Energy

670

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

UNIT

Volts

Ohms

MIN

TYP

MAX

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 500µA)

800

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 22A)

0.125 0.145

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_J= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2mA)

0.5

250

±200

3.9

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

2.10

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

™

"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Infineon Technologies AG"

12 3 4 5

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