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APT30GN60BDQ2

更新时间： 2024-11-27 02:51:51

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IGBT

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APT30GN60BDQ2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	63 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	255 ns	标称接通时间 (ton)：	26 ns
Base Number Matches：	1

APT30GN60BDQ2 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT30GN60BDQ2(G)

600V

APT30GN60BDQ2

APT30GN60BDQ2G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra

low V_CE(ON)and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum

conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a

slightly positive V_CE(ON)temperature coefﬁcient. Low gate charge simpliﬁes gate drive

design and minimizes losses.

• 600V Field Stop

• Trench Gate: Low V_CE(on)

• Easy Paralleling

• 10µs Short Circuit Capability

• 175°C Rated

Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

APT30GN60BDQ2(G)

UNIT

V_CES

Collector-Emitter Voltage

600

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

75A @ 600V

203

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 175

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

5.0

1.1

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 2mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 430µA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 30A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 30A, T_j= 125°C)

5.8

1.5

1.7

6.5

1.9

Volts

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

TBD

300

I_GES

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

Intergrated Gate Resistor

R_G(int)

Ω

N/A

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT30GN60BG	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
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