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APT3010BNFR-GULLWING

更新时间: 2024-09-13 14:47:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN

APT3010BNFR-GULLWING 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84雪崩能效等级(Eas):1300 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):300 pFJESD-30 代码:R-PSFM-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:360 W最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):230 ns
最大开启时间(吨):120 nsBase Number Matches:1

APT3010BNFR-GULLWING 数据手册

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