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APT3010BNFR-BUTT

更新时间: 2024-09-14 03:06:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

APT3010BNFR-BUTT 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84雪崩能效等级(Eas):1300 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):300 pFJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):230 ns最大开启时间(吨):120 ns

APT3010BNFR-BUTT 数据手册

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