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APT10M11B2VFR

更新时间： 2024-09-30 04:01:27
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET

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APT10M11B2VFR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT10M11B2VFR 数据手册

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APT10M11B2VFR  
APT10M11LVFR  
100V 100A 0.011W  
B2VFR  
POWER MOS V®  
FREDFET  
T-MAX™  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
TO-264  
LVFR  
D
S
• Identical Specifications: T-MAX™ or TO-264 Package  
• Lower Leakage  
• Faster Switching  
G
• Fast Recovery Body Diode  
• 100% Avalanche Tested  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10M11  
100  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Volts  
5
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
100  
Amps  
Volts  
1
5
IDM  
Pulsed Drain Current  
400  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
Watts  
W/°C  
520  
PD  
4.16  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
°C  
Amps  
mJ  
1
5
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
100  
1
EAR  
EAS  
50  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
2500  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
100  
100  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
5
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.011  
250  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
1000  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
Chemin de Magret  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
EUROPE  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10M11B2VFRG MICROSEMI

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