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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT100DL60B | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT100DL60BG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT100DL60HJ | MICROSEMI |
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ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module |
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| APT100DL60HJ-Module | MICROCHIP |
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FRED Si diode Ultra fast recovery times Soft recovery characteristics High block |
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| APT100DL60S | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT100DL60SG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT100F50J | MICROSEMI |
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N-Channel FREDFET |
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| APT100GF60B2R | ADPOW |
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The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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| APT100GF60JR | ADPOW |
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The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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| APT100GF60JRD | ADPOW |
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The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
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