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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT10030L2VFR
APT10030L2VFR PDF预览

APT10030L2VFR

更新时间： 2024-11-20 22:05:47
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管开关脉冲高压
页数 文件大小 规格书
2页 83K
描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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APT10030L2VFR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：3200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：33 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：132 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT10030L2VFR 数据手册

 浏览型号APT10030L2VFR的Datasheet PDF文件第2页 
APT10030L2VFR  
1000V 33A 0.300W  
POWER MOS V®  
FREDFET  
TO-264  
Max  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
• TO-264 MAX Package  
• LowerLeakage  
• FasterSwitching  
D
S
• 100% Avalanche Tested  
G
• Fast Recovery Body Diode  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10030L2VFR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
1000  
33  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
132  
Pulsed Drain Current  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
830  
Watts  
W/°C  
PD  
6.67  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
33  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
1
EAR  
EAS  
50  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
3200  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
1000  
33  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.300  
250  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 5mA)  
1000  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
Chemin de Magret  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
EUROPE  
12

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