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Datasheet > 暂无类别数据> APT1002RBN-GULLWING
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APT1002RBN-GULLWING

更新时间： 2024-11-21 13:05:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
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APT1002RBN-GULLWING 数据手册

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D
S
TO-247  
G
APT1002RBN 1000V 7.0A 2.00Ω  
APT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40Ω  
POWER MOS IV®  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT  
APT  
Symbol Parameter  
1002RBN  
1002R4BN  
UNIT  
VDSS  
1000  
7.0  
1000  
6.5  
Volts  
Drain-Source Voltage  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
1
IDM  
VGS  
28  
26  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
±30  
Volts  
Watts  
W/°C  
240  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
PD  
1.96  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic / Test Conditions / Part Number  
Symbol  
MIN  
1000  
1000  
7.0  
TYP  
MAX  
UNIT  
APT1002RBN  
APT1002R4BN  
APT1002RBN  
APT1002R4BN  
APT1002RBN  
APT1002R4BN  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
Volts  
(VGS = 0V, ID = 250 µA)  
2
On State Drain Current  
ID(ON)  
Amps  
Ohms  
µA  
(VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
6.5  
2
2.00  
2.40  
250  
1000  
±100  
4
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(ON)  
(VGS = 10V, 0.5 ID [Cont.])  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
nA  
VGS(TH) Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
2
Volts  
Symbol Characteristic  
MIN  
TYP  
MAX  
0.51  
40  
UNIT  
RθJC  
RθJA  
Junction to Case  
°C/W  
Junction to Ambient  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT1002RBNR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-247AD
APT1002RBNR-GULLWING ADPOW

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 		暂无描述
APT1002RCN ADPOW

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