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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1002RBN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1002RBN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| APT1002RBN-GULLWING | ADPOW |
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暂无描述 |
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| APT1002RBNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-247AD |
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| APT1002RBNR-GULLWING | ADPOW |
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暂无描述 |
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| APT1002RCN | ADPOW |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1002RDN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT10030L2VFR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10030L2VFR_04 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10030L2VFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1000V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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