是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
最大漏源导通电阻: | 2.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-254AA | JESD-30 代码: | S-MSFM-P3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT1002R4BNR-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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APT1002R4CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254ISO |
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APT1002RAN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-3 |
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APT1002RBN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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APT1002RBN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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APT1002RBN-GULLWING | ADPOW |
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暂无描述 |
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APT1002RBNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-247AD |
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APT1002RBNR-GULLWING | ADPOW |
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暂无描述 |
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APT1002RCN | ADPOW |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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APT1002RDN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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