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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1002R4BNR-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| APT1002R4BNR-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| APT1002R4CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254ISO |
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| APT1002RAN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-3 |
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| APT1002RBN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
| APT1002RBN-BUTT | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| APT1002RBN-GULLWING | ADPOW |
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暂无描述 |
|
| APT1002RBNR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-247AD |
|
| APT1002RBNR-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| APT1002RCN | ADPOW |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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