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APT1001R6BN

更新时间： 2024-02-29 12:50:16
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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APT1001R6BN 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.64
雪崩能效等级（Eas）：425 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：1.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT1001R6BN 数据手册

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D
S
TO-247  
G
APT1001R6BN 1000V 8.0A 1.60Ω  
APT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40Ω  
POWER MOS IV®  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT  
APT  
Symbol Parameter  
1001R6BN 1002R4BN  
UNIT  
VDSS  
1000  
8
1000  
6.5  
Volts  
Drain-Source Voltage  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
1
IDM  
VGS  
32  
26  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
±30  
240  
1.96  
Volts  
Watts  
W/°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic / Test Conditions / Part Number  
Symbol  
MIN  
1000  
1000  
8
TYP  
MAX  
UNIT  
APT1001R6BN  
APT1002R4BN  
APT1002RBN  
APT1002R4BN  
APT1001R6BN  
APT1002R4BN  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
Volts  
(VGS = 0V, ID = 250 µA)  
2
On State Drain Current  
ID(ON)  
Amps  
Ohms  
µA  
(VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
6.5  
2
1.60  
2.40  
250  
1000  
±100  
4
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(ON)  
(VGS = 10V, 0.5 ID [Cont.])  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
nA  
VGS(TH) Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
2
Volts  
Symbol Characteristic  
MIN  
TYP  
MAX  
0.51  
40  
UNIT  
RθJC  
RθJA  
Junction to Case  
°C/W  
Junction to Ambient  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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