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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.14 | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | MODULE | 最大输入功率 (CW)： | 20 dBm |
| 最大工作频率： | 8000 MHz | 最小工作频率： | 2000 MHz |
| 最高工作温度： | 50 °C | 最低工作温度： | |
| 射频/微波设备类型： | WIDE BAND MEDIUM POWER | 最大电压驻波比： | 2 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT-8255R | AGILENT |
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2000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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| APT8256 | APLUS |
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Analog Circuit |
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| APT-8266 | AGILENT |
获取价格 |
2000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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| APT-8266R | AGILENT |
获取价格 |
2000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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| APT83GU30B | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT83GU30B | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| APT83GU30BG | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| APT83GU30S | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 |
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| APT83GU30S | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT83GU30SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 |
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