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APM9410KC-TR

更新时间： 2024-11-05 22:07:43

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茂达 - ANPEC		/
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9页	152K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM9410KC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

APM9410KC-TR 数据手册

APM9410

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Pin Description

Features

SO-8

•

30V/8A , R_DS(ON)=15mΩ(typ.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=23mΩ(typ.) @ V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

SO-8 Package

Top View

Applications

•

Power Management in Notebook Computer ,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems.

Ordering and Marking Information

N-Channel MOSFET

P ackage C ode

K : S O -8

APM 9410

O perating Junction Tem p. R ange

C : -55 to 150°C

H andling C ode

Tem p. R ange

P ackage C ode

H andling C ode

TU : Tube

TR : Tape & R eel

A P M 9410

X X X X X

A P M 9410 K :

X X X X X - D ate C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

* Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.5 - Feb., 2003

www.anpec.com.tw

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