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APM4925KC-TR

更新时间： 2024-11-08 22:18:23

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茂达 - ANPEC		/
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9页	131K
描述
P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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APM4925KC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

APM4925KC-TR 数据手册

APM4925

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

-30V/-6.1A, R_DS(ON)= 24mΩ(typ.) @ V_GS= -10V

R_DS(ON)= 30mΩ(typ.) @ V_GS= -4.5V

Super High Density Cell Design

•

Reliable and Rugged

SO-8 Package

SO − 8

Applications

S 2

S 1

•

Power Management in Notebook Computer,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems

G 2

G 1

D 2 D 2

D 1 D 1

P-Channel MOSFET

Ordering and Marking Information

Package Code

K : SO-8

APM4925

Operation Junction Temp. Range

C : -55 to 150°C

Handling Code

Temp. Range

Package Code

TU : Tube

TR : Tape & Reel

APM4925

XXXXX

APM4925

XXXXX - Date Code

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±25

-6.1

T = 25 C

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

-40

*Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.4 - Dec., 2002

www.anpec.com.tw

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