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APM4410KC-TR

更新时间： 2024-11-03 22:07:43

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9页	516K
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM4410KC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

APM4410KC-TR 数据手册

APM4410

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

30V/11.5A, R_DS(ON)= 9mΩ(typ.) @ V_GS= 10V

R_DS(ON)=14.5mΩ(typ.) @ V_GS= 4.5V

High Density Cell Design

•

Reliable and Rugged

SO-8 Package

SO − 8

Applications

•

Power Management in Notebook Computer,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems

Ordering and Marking Information

N-Channel MOSFET

APM 4410

P ackage C ode

K : S O -8

O perating Junction Tem p. R ange

C : -55 to 125°C

H andling C ode

Tem p. R ange

P ackage C ode

TU : Tube

TR : Tape & R eel

A P M 4410

X X X X X

A P M 4410 K :

X X X X X - D ate C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

11.5

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

Maximum Power Dissipation

I_DM

P_D

2.5

T =25 C

1.0

T =100 C

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.5 - July., 2002

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