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APM4220KC-TU

更新时间： 2024-10-29 22:07:43

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茂达 - ANPEC		/
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9页	127K
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM4220KC-TU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

APM4220KC-TU 数据手册

APM4220

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

25V/14A, R_DS(ON)=7.5mΩ(typ.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=10mΩ(typ.) @ V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design for

Extremely Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

SOP-8 Package

SO − 8

Applications

•

Power Management in Desktop Computer or

DC/DC Converters.

N-Channel MOSFET

Ordering and Marking Information

Package Code

K : SO-8

APM4220

Operating Junction Temp. Range

C : -55 to 150°C

Handling Code

Lead Free Code

Handling Code

Temp. Range

Package Code

TU : Tube

TR : Tape & Reel

Lead Free Code

L : Lead Free Device Blank : Orginal Device

XXXXX - Date Code

APM4220

XXXXX

APM4220 K :

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

* Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.1 - Aug., 2002

www.anpec.com.tw

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