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APM3054N

更新时间： 2024-02-20 00:18:32

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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM3054N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.47 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

APM3054N 数据手册

APM3054N

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

30V/15A, R_DS(ON)=48mΩ(typ.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=75mΩ(typ.) @ V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design

•

High Power and Current Handling Capability

TO-252 and SOT-223 Package

Top View of SOT-223

Top View of TO-252

Applications

•

Switching Regulators

Switching Converters

Top View of SOT-89

Ordering and Marking Information

Package C ode

APM3054N

D : SO T-89

U : TO -252

V : SO T-223

Handling C ode

Tem p. R ange

Package C ode

O perating Junction Tem p. Range

C : -55 to 125

Handling C ode

TR : Tape & R eel

- D ate Code

XX XXX

AP M 3054N U :

AP M 3054N

XX XXX

AP M 3054N

XX XXX

AP M 3054N D/V :

Date C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

Diode Continuous Forward Current

I_DM

I_S

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.2 - Aug., 2002

www.anpec.com.tw

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