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APM3023NUC-TR

更新时间： 2024-01-23 11:29:52

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茂达 - ANPEC		/
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12页	205K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM3023NUC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.47 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

APM3023NUC-TR 数据手册

APM3023N

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

30V/30A, R_DS(ON)=15mΩ(typ.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=22mΩ(typ.) @ V_GS=5V

•

Super High Dense Cell Design

High Power and Current Handling Capability

TO-252.TO-220 and SOT-223 Packages

Top View of SOT-223

Top View of TO-252

Applications

•

Switching Regulators

Switching Converters

TO-220 Package

Ordering and Marking Information

Package C ode

U : TO -252

APM3023N

V : SO T-223

F : TO -220

Handling C ode

Tem p. R ange

Package C ode

O perating Junction Tem p. Range

C : -55 to 150

Handling C ode

TR : Tape & R eel

- D ate Code

XXXXX

AP M3023N U/F:

AP M3023N

XXXXX

AP M3023N

XXXXX

AP M3023N V :

D ate C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

* Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.6 - July., 2003

www.anpec.com.tw

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