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APM3020P

更新时间： 2024-02-19 01:10:53

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茂达 - ANPEC		/
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9页	624K
描述
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM3020P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

APM3020P 数据手册

APM3020P

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

-30V/-11A, R_DS(ON)= 17mΩ(typ.) @ V_GS= -10V

R_DS(ON)= 24mΩ(typ.) @ V_GS= -5V

•

Super High Density Cell Design

Reliable and Rugged

TO-252 Package

Applications

Top View of TO-252

•

Power Management in Notebook Computer,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems

Ordering and Marking Information

APM 3020P

P ackage C ode

U : TO -252

O perating Junction Tem p. R ange

C : -55 to 125°C

H andling C ode

Tem p. R ange

P ackage C ode

TU : Tube

TR : Tape & R eel

A P M 3020P U :

A P M 3020P

X X X X X

X X X X X - D ate C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

-40

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

P_D

-70

Maximum Power Dissipation

T_A=25 ºC

T_A=100 ºC

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.1 - July., 2002

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