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APM3011NUC-TR

更新时间： 2024-01-22 08:34:44

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茂达 - ANPEC		/
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11页	608K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM3011NUC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

APM3011NUC-TR 数据手册

APM3011N

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

30V/60A , R_DS(ON)=9mΩ(typ.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=14mΩ(typ.) @ V_GS=5V

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

TO-220, TO-252 and TO-263 Packages

Applications

Top View of TO-220 , TO-252 and TO-263

•

Power Management in Desktop Computer or

DC/DC Converters Systems.

Ordering and Marking Information

APM3011N

Package Code

F : TO-220 U :TO-252 G : TO-263

Temp. Range

Handling Code

Temp. Range

Package Code

C : 0 to 70 C

Handling Code

TU : Tube

TR : Tape & Reel

APM3011N

XXXXX

APM3011N G/U/F :

XXXXX - Date Code

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

Rating

±20

Unit

V_GSS

I_D

I_DM

120

* Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.3 - Mar., 2002

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