是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.83 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APM2301 | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301A | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301AA | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301AAC-TR | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301AAC-TRL | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301AAC-TU | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301AAC-TUL | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301AC-TR | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301CA | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2301CAC-TR | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET |