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APM2095PUC-TU

更新时间： 2024-09-13 22:05:43

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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM2095PUC-TU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

APM2095PUC-TU 数据手册

APM2095P

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

-20V/-3.6A , R_DS(ON)=70mΩ(typ.) @ V_GS=-4.5V

_DS(ON)=100mΩ(typ.) @ V_GS=-2.5V

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

TO-252 Package

Top View of TO-252

Applications

•

Power Management in Notebook Computer ,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems.

Ordering and Marking Information

P ackage C ode

U : TO -252

APM2095P

O perating Junction Tem p. R ange

C : -55 to 150°C

H andling C ode

Tem p. R ange

P ackage C ode

H andling C ode

TU : Tube

TR : Tape & R eel

A P M 2095P U :

A P M 2095P

X X X X X

X X X X X - D ate C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Rating

-20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±10

Maximum Drain Current – Continuous

-3.6

-20

I_DM

Maximum Pulsed Drain Current (pulse width ≤ 300µs)

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.1 - Nov., 2003

www.anpec.com.tw

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