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APM2030NUC-TR

更新时间： 2024-09-09 22:05:43

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茂达 - ANPEC		/
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9页	142K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM2030NUC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

APM2030NUC-TR 数据手册

APM2030N

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

20V/6A , R_DS(ON)=35mΩ(typ.) @ V_GS=4.5V

R_DS(ON)=38mΩ(typ.) @ V_GS=2.5V

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

TO-252 Package

Top View of TO-252

Applications

•

Power Management in Computer, Portable

Equipment and Battery Powered Systems.

Ordering and Marking Information

APM2030N

Package Code

U : TO-252

Operation Junction Temp. Range

C :-55 to 150 C

Handling Code

Temp. Range

Package Code

TR : Tape & Reel

APM2030N U :

APM2030N

XXXXX

XXXXX - Date Code

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±10

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.1 - Aug., 2002

www.anpec.com.tw

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