是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 14 ns | 其他特性: | RETRANSMIT; PARITY GENERATOR/CHECKER; MAIL BOX |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | 周期时间: | 20 ns |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 36864 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 132 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BQFP | 封装等效代码: | SPQFP132,1.1SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.28 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9A436-25QC | ISSI |
获取价格 |
FIFO, 1KX36, 17ns, Synchronous, CMOS, PQFP132 | |
AP9A436-30QC | ISSI |
获取价格 |
FIFO, 1KX36, Synchronous, CMOS, PQFP132 | |
AP9A436-35QC | ISSI |
获取价格 |
FIFO, 1KX36, 35ns, Synchronous, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 | |
AP9A437-15QC | ISSI |
获取价格 |
Bi-Directional FIFO, 512X36, 9ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9A437-20QC | ISSI |
获取价格 |
Bi-Directional FIFO, 512X36, 12ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9A437-25QC | ISSI |
获取价格 |
Bi-Directional FIFO, 512X36, 16ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9A437-35QC | ISSI |
获取价格 |
Bi-Directional FIFO, 512X36, 25ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9B102-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |