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AP9987GH

更新时间： 2024-11-22 17:15:27
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
TO-252

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AP9987GH 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP9987GH 数据手册

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AP9987GH/J-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Low Gate Charge  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
80V  
90mΩ  
15A  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ Fast Switching Performance  
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
Description  
AP9987 series are from Advanced Power innovated design and silicon  
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and  
fast switching performance. It provides the designer with an extreme  
efficient device for use in a wide range of power applications.  
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications using infrared reflow technique and suited  
for high current application due to the low connection resistance. The  
through-hole version (AP9987GJ) are available for low-profile  
applications.  
G
D
S
TO-252(H)  
G
D
S
TO-251(J)  
Absolute Maximum Ratings@Tj=25oC(unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
80  
Gate-Source Voltage  
+25  
V
Drain Current, VGS @ 10V  
Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
15  
A
9
A
50  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
34.7  
W
Linear Derating Factor  
0.28  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
3.6  
62.5  
110  
Rthj-a  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201412223  
12345

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与AP9987GH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP9987GH,J-HF A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9987GH-HF A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR 15 A, 80 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND RO
AP9987GH-HF_14 A-POWER

获取价格

 		Single Drive Requirement
AP9987GJ A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9987GJ-HF A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR 15 A, 80 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND RO
AP9987GJ-HF_14 A-POWER

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 		暂无描述
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