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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.67 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9980H | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP9980J | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP9980M | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP9982M | A-POWER |
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SO-8 |
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| AP9985GM | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9985M | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP9987GH | A-POWER |
获取价格 |
TO-252 |
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| AP9987GH,J-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9987GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 80 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND RO |
|
| AP9987GH-HF_14 | A-POWER |
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Single Drive Requirement |
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