AP9979GJ

更新时间： 2024-09-26 12:52:15

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9979GJ 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.048 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP9979GJ 数据手册

AP9979GH/J

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

48mΩ

20A

▼ Single Drive Requirement

▼ Surface Mount Package

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching, ruggedized device design,

low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-252(H)

The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters. The through-hole version (AP9979GJ) are

available for low-profile applications.

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+25

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

34.7

Linear Derating Factor

0.28

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

3.6

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200806242

12 3 4 5 6

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