是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9977AGM | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9977GH-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9977GH-HF_14 | A-POWER |
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Single Drive Requirement | |
AP9977GJ-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9977GJ-HF_14 | A-POWER |
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Single Drive Requirement | |
AP9977GM | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9978AGP-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9978GP | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9979GH | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9979GH-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |