AP9977AGH

更新时间： 2024-11-21 12:52:15

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	68K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9977AGH 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9977AGH 数据手册

AP9977AGH

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

100mΩ

▼ Single Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching, ruggedized device design,

low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-252(H)

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

5.7

P_D@T_C=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

12.5

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

10.0

110

Units

℃/W

Rthj-c

Maixmum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201126071

12 3 4

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