AP9972AGI

更新时间： 2024-11-18 12:52:15

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9972AGI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9972AGI 数据手册

AP9972AGI

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

16mΩ

32A

▼ Single Drive Requirement

▼ Fast Switching Performance

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching, ruggedized device design,

low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-220CFM(I)

The TO-220CFM isolation package is widely preferred for all

commercial-industrial through hole applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

20.3

120

31.3

P_D@T_C=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201207192

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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