AP9971GJ-HF

更新时间： 2024-11-18 13:05:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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AP9971GJ-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9971GJ-HF 数据手册

AP9971AGD

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

50mΩ

▼ Fast Switching Speed

▼ PDIP-8 Package

PDIP-8

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Rating

Units

V_DS

V_GS

+25

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

3.2

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200809222

12 3 4 5

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