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AP9963AGS-HF

更新时间： 2024-09-15 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	102K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9963AGS-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9963AGS-HF 数据手册

AP9963AGS-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

40V

4.2mΩ

150A

▼ Low On-resistance

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

and cost-effectiveness.

TO-263(S)

The TO-263 package is widely preferred for commercial-industrial surface

mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC

converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current (Chip)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V³

Pulsed Drain Current¹

150

320

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

Total Power Dissipation⁴

156

℃

3.13

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

0.8

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)⁴

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201112071

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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