生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
针数: | 5 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.65 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 36 A | 最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9962GM-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9962H | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
AP9962J | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
AP9962M | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9963AGP-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9963AGP-HF_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement | |
AP9963AGS-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9963GI-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9963GP | A-POWER |
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TO-220 | |
AP9963GP-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |